(2d)損失比較

600V系のCM600DY-13Tと
1200V系のCM300DY--24Tと
SiCMOSFETを同一の画面に描くと左記のようになります。
300Vdc以下では、CM600DY-13T(600V系のIGBT)を、300Vdc~600Vdcでは、CREEのCAS300M12BM2(SiC MOSFET)が適していると考えられます。
また、300Vdcを使用しないで、600VdcでSiC MOSFETモジュールを使用すれば、損失を低減できる事も分かります。