(2c)SiCMOSFETモジュール
ところで、SiCMOSFETモジュールの特性について検討してみましょう。
対象とするのは、電流容量の大きなRhomのBSM300D12P2E001とCREEのCAS300M12BM2です。

素子の定格が1200Vなので、Vdc=600Vの回路で使用します。IGBTと同じように、直流電圧の依存性を計算すると、左図のようになります。
計算ソフトの必要な方は、メールにて、問い合わせ下さい。